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    <title>SIFusion Press Releases</title>
    <link>http://www.sifusion.com/news/press_releases</link>
    <description>Latest news.</description>
    <language>ja</language>
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      <title></title>
      <link>http://www.sifusion.com/news/press_releases/13</link>
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      <pubDate>Thu, 14 Sep 2006 02:16:45 +1000</pubDate>
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      <title></title>
      <link>http://www.sifusion.com/news/press_releases/12</link>
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      <pubDate>Wed, 13 Sep 2006 02:27:08 +1000</pubDate>
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      <link>http://www.sifusion.com/news/press_releases/11</link>
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      <pubDate>Fri, 14 Jul 2006 03:05:35 +1000</pubDate>
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    <item>
      <title>Integrated Materialsがポリシリコン製ファーネス・ライナーを発売</title>
      <link>http://www.sifusion.com/news/press_releases/10</link>
      <description>&lt;p&gt;カリフォルニア州サンフランシスコおよびサニーベール、SEMICON West展示会ブース6480、2006年7月11日 – Integrated Materialsは、半導体ファーネス・プロセス用の高純度ポリシリコンSiFusion™ライナーを世界中で発売すると発表する予定です。現時点では、この革新的な新製品は、特定の顧客に対し「ベータ版」の検証を目的として少量が出荷されているだけです。このライナー冶具は、ファーネスボート、インジェクタ、ペデスタとともにSiFusionファーネスウェアの構成要素です。&lt;/p&gt;

&lt;p&gt;ファブは、他のSiFusion製品とともにこの高純度ポリシリコン製ライナーを使用することで、従来の石英とシリコンカーバイド製の消耗品を凌駕する、ポリシリコンの持つ特長を完全に活かすことができます。その利点には、ファーネスの洗浄やコンポーネントの交換のためのダウンタイムの大幅な削減、パーティクル汚染の低減、総所有コストの低下などがあります。&lt;/p&gt;

&lt;p&gt;Integrated MaterialsのCEO、トム・キャドウェル氏は、次のように説明しています。「このライナーをSiFusionファーネスウェア・スイートに追加することで、ファブは従来のファーネス用消耗品でやむを得ず行っていた時間と費用がかかる作業を削減することができます。SiFusionファーネスウェアを導入することにより、熱処理パフォーマンスの向上、ファーネスのスループットの増大、費用対効果やプロセス・パフォーマンスの改善というメリットが得られます。」 &lt;/p&gt;

&lt;p&gt;ファーネスのダウンタイムの減少
ファーネスのすべてのコンポーネントは、指定されたミクロン・レベルに達すると予防的な保守サービスが必要となります。このサービスを実施するためには、たとえ1つの部品を交換するためだけであっても、ファーネス全体をラインから外す必要があります。SiFusionファーネスウェアは、定期的な洗浄がまったく不要なので、生産キャパの有効稼働率を大幅に向上させることができます。装置の定期的な洗浄のためのダウンタイムが不要となり、したがって、その後の校正も必要ありません。このためファブは、スループットを大きく向上させ、個々のファーネスの稼働率を上げることができます。&lt;/p&gt;

&lt;p&gt;パーティクルの発生と金属汚染の抑制
ファーネスのコンポーネントは、どれもウェハの不良の原因となる可能性があります。シリコンカーバイドと石英でできた部品は、ポリシリコンに比べるとはるかに多くのパーティクルを放出します。SiFusionは、金属イオンをまったく含まない高純度のポリシリコンを素材のベースとしており、ウェハの不良と歩留まりの低下の原因となるパーティクルをほとんど発生させず、微量金属を放出しません。すべての冶具にSiFusionを使用することで、ファブは不良発生率を低く抑えることができます。&lt;/p&gt;

&lt;p&gt;叢書有効ストの低下
Williams Wright &amp;amp; Kelly, Inc.（WWK）が最近行った総所有コスト分析で確認されましたが、SiFusionは、優れた生産設備稼働率、週間良品ウェハ製造率、年間クリーニング費用、年間コンポーネント使用量、年間破損リスクに優れ、シリコンカーバイドと石英でできた競合装置に比べて総所有コストを抑制することができます。&lt;/p&gt;

&lt;p&gt;SiFusionのライナー
SiFusionライナーは、インジェクタとボートともに、半導体LPCVDファーネスの基本的な構成要素です。ライナーは、注入口から排出口までのガスの安定したフローを導き、また超高純度のバリアとなり、外部ファーネス管から排出されるパーティクルが製品歩留まりを低下させるのを防ぎます。  &lt;/p&gt;

&lt;p&gt;SiFusionライナーは、特許を取得した表面処理が特長で、熱応力を発散し、高温のサイクル中も構造の歪みを防ぐので、ファーネスのアップタイムの増大、不良率の低下、および歩留まりの向上に貢献します。&lt;/p&gt;

&lt;p&gt;SiFusionライナーは、200～300mmの縦型ファーネス・プロセス用途に適しており、特に高温、LPCVD、HTOファーネスに最適です。SiFusionライナーは、すでに日本、韓国、シンガポールのファブで適合性を認められています。初期段階のパフォーマンス・データは、SiFusionライナーをボートともに使用すると、パーティクル・レベルが抜群に低下することを示しています。 &lt;/p&gt;

&lt;p&gt;製品の発売時期
SiFusionライナーとその他のファーネスウェアはIntegrated Materialsのグローバル販売チーム経由でご購入ください。最寄りの代理店は、www.sifusion.comで検索してください。 &lt;/p&gt;</description>
      <pubDate>Wed, 12 Jul 2006 08:11:27 +1000</pubDate>
    </item>
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      <title></title>
      <link>http://www.sifusion.com/news/press_releases/9</link>
      <description></description>
      <pubDate>Sat, 01 Jul 2006 03:43:51 +1000</pubDate>
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      <title></title>
      <link>http://www.sifusion.com/news/press_releases/8</link>
      <description></description>
      <pubDate>Sat, 24 Jun 2006 06:52:01 +1000</pubDate>
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      <link>http://www.sifusion.com/news/press_releases/7</link>
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      <pubDate>Sat, 24 Jun 2006 06:50:35 +1000</pubDate>
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      <title></title>
      <link>http://www.sifusion.com/news/press_releases/6</link>
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      <pubDate>Sat, 24 Jun 2006 06:49:10 +1000</pubDate>
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      <title>インテグレーテッドマテリアルズがSiFusion™ポリシリコン製ファーネスウェアを全世界で発売</title>
      <link>http://www.sifusion.com/news/press_releases/5</link>
      <description>&lt;p&gt;&lt;i&gt;半導体製造工程における欠陥密度の大幅な削減と熱処理炉の生産性向上を実現&lt;/i&gt;&lt;/p&gt;

&lt;p&gt;2006年3月22日・カリフォルニア州サニーベール発】　米インテグレーテッドマテリアルズは、SiFusion™と呼ばれるポリシリコン製ファーネスウェアを全世界で発売したと発表しました。すでに北米の大手半導体メーカーにおいて生産用ツールとして承認登録されているSiFusionファーネス用治具は、多くのファブにおいて縦型ファーネスプロセスの厳しい評価基準に合格し、クォーツ（石英）またはシリコンカーバイド製の消耗品を上回る優れた特性を示しています。&lt;/p&gt;

&lt;p&gt;SiFusionファーネスウェアのボート、タワー、インジェクター、及びペデスタルは、ASM、アビザ・テクノロジー、日立国際電気、および東京エレクトロンにより製造されるファーネスに適合するよう設計されています。SiFusionファーネスウェアは、薄膜形成（LPCVD＝減圧CVD、シリコンナイトライドおよびポリシリコン）、高温処理（アニール／ドライブ）、熱酸化を含め、200 mmおよび300 mmの製造ラインにおいて、縦型ファーネスプロセスに要求される基準を満たしています。&lt;/p&gt;

&lt;p&gt;インテグレーテッドマテリアルズのTom Cadwell社長兼最高経営責任者（CEO）は、「この業界は、シリコンウェハと同じ物性を持ったファーネスウェアを製造できる会社を20年以上も待ち続けてきました。SiFusionファーネスウェアは、その期待に応えた製品です。すでに量産工場で認定を受けたこの革新的技術は、クォーツおよびシリコンカーバイド製の、従来型の消耗品を過去の技術としてしまうものです。耐用年数の長期化に成功したSiFusionポリシリコンファーネスボート、タワー、ペデスタル、およびインジェクターは、これまでの消耗品を、耐久性のあるファーネスウェアへと変える製品です。」とのことです。&lt;/p&gt;

&lt;p&gt;SiFusionテクノロジーは、クォーツおよびシリコンカーバイド製の従来型の消耗品に比べ、大幅な改善を実現しました。この特許を持つ製造方法により、半導体グレードのポリシリコンファーネスウェアの製造が可能となり、パーティクルや金属汚染を低減し、スリップを無くし、また定期的な洗浄の必要性を無くすことを可能としました。これらは全て、生産性の改善、歩留まりの向上、ファーネスの稼動可能時間の増加をもたらすとともに、ファブにおけるコスト削減をも実現します。このSiFusion特許技術を開発したインテグレーテッドマテリアルズは、半導体製造工程で使用されるファーネス用治具を、ポリシリコン素材で製造する技術を、世界で初めて完成しました。&lt;/p&gt;

&lt;p&gt;Cadwell社長はによると、「ファーネス内部での欠陥発生を最小限のレベルに抑えることにより、最先端の300 mm生産ラインにおいては、生産性と歩留まりの目標の達成を実現し、そして、完成された成熟プロセスにおいては、既存の条件を満たすことができます。」とのことです。&lt;/p&gt;

&lt;p&gt;シリコンの熱特性と物理的特性を最大限に利用したこのSiFusion技術によって、ICメーカーが直面している次のような多くの問題を解決することができます。&lt;/p&gt;

&lt;p&gt;LPCVD:&lt;/p&gt;

&lt;p&gt;&lt;li&gt; SiFusionファーネスウェアは、クォーツやシリコンカーバイド製に比べパーティクルの発生を大幅に減少させることにより、それによって引き起こされる欠陥の発生を減少させます。SiFusion独自の表面処理により、デポ膜の密着性が向上した結果、ファーネスウェアの定期的な洗浄が不要になりました。その結果、世界各国の大手ファブにおいて、ファーネスの稼働率とスループットの双方において劇的な向上が見られました。&lt;/p&gt;

&lt;p&gt;&lt;li&gt; クォーツおよびシリコンカーバイド製の消耗品は、定期的な洗浄を必要とするため、ファブでは、それによって発生するダウンタイム、手間のかかるプロセス再現テスト、およびクリーニングに伴うコストと廃棄物質の処理費用を負担しなければなりません。SiFusionポリシリコンファーネスウェアを使えば、定期的な洗浄を無くすことができ、またファーネスのダウンタイムが低減されるので、ファブのオペレーションコスト削減と生産性の向上という効果をもたらします。また、クリーニングに用いる化学物質の処理に要する費用や面倒な環境問題の発生も回避することができます。&lt;/p&gt;

&lt;p&gt;拡散:&lt;/p&gt;

&lt;p&gt;&lt;li&gt; SiFusionファーネスウェアにより、金属汚染の心配は実質上完全になくなります。インテグレーテッドマテリアルズのSiFusionファーネスウェアはあらゆる微量金属について1.0 E10 / cm2未満の純度を持ち、1,200℃の高温でウェハの水素アニーリングを行っても、SiFusionファーネスウェアに起因する金属汚染はまったく発生しません。それと同様に重要な点として、これらのファーネスウェアが半導体グレードのシリコンで作られているため、万が一欠損等が起こったとしても、シリコンカーバイド製とは違い、ファーネス内部に不純物を発生させることはありません。&lt;/p&gt;

&lt;p&gt;&lt;li&gt; SiFusion技術により、ウェハ欠陥はほぼ完全になくなります。それは、ボートとウェハが同じ熱特性を持っているからです。特にクォーツ製消耗品においては、高温処理で、横型また縦型に係わらず、ウェハキャリアに歪みやたわみが発生し問題を起こします。しかし、半導体グレードのポリシリコン製ボートでは、この問題を解決できます。SiFusionボートは、1,350℃という高温でもスリップやたわみによる問題を最小限に抑えることができます。&lt;/p&gt;

&lt;p&gt;&lt;li&gt; ポリシリコン製治具の耐用期間は、実際の使用結果において、クォーツ製またはシリコンカーバイド製の消耗品に比べ、数倍長いことが確認されており、治具の交換に伴うダウンタイムの低減、およびコストオブオーナーシップ（CoO)の削減に大いに力を発揮します。&lt;/p&gt;

&lt;p&gt;&lt;li&gt; SiFusionファーネスウェアは、厳しい温度サイクル環境にも耐え、塑性変形を生じなため、製造精度を保持でき、ロボットインタフェースの効率が向上し、ウェハのローディング／アンローディング時間を短縮できます。さらに、サーマルランプレートの加速化や熱衝撃耐性の向上が実現されました。&lt;/p&gt;

&lt;p&gt;Cadwell社長は、「当社では、この新しい技術により、これまでファーネスプロセスが直面してきた問題に対する解決策を、ウェハファブに提供できるという自信を持っています。SiFusionテクノロジーにより、更なるデバイス面積の縮小が要求されるプロセスにおいても、バッチプロセスの継続使用を可能となり、これにより、ファーネスのオペレーションコストが最小限に抑えられるのみならず、デバイスの歩留まりが向上するでしょう。」とコメントしました。&lt;/p&gt;

&lt;p&gt;&lt;b&gt;インテグレーティッドマテリアルズ（Integrated Materials, Inc.）について&lt;/b&gt;&lt;/p&gt;

&lt;p&gt;SiFusion™テクノロジーで特許を取得したインテグレーテッドマテリアルズ（本社：米国カリフォルニア州サニーベール）は、半導体業界が長年にわたって追求してきたポリシリコンファーネスフィクスチャーソリューションを世界で唯一かつ初めて開発した企業です。当社独自のSiFusionポリシリコンファーネスウェアは、クォーツおよびシリコンカーバイド製の従来の消耗品に代わって、LPCVD工程において発生するパーティクル低減、高温プロセスで発生する微量金属による汚染およびスリップを減少させることにより、歩留まりを改善する、ユニークな製品です。SiFusionファーネスウェアを導入することにより、定期的な洗浄の必要がなくなり、生産性が向上しコストが削減できます。すでに200 mmおよび300 mm大手ウェハファブにおいて、認証試験で認定を受けたSiFusionファーネスウェアは、今ご使用いただけます。インテグレーテッドマテリアルズは、世界各地に現地サポートスタッフを置き、アプリケーションエンジニアとともに顧客サポートを提供しています。詳しくは、インテグレーテッドマテリアルズ営業部（住所：1169 Borregas Avenue, Sunnyvale, CA 94089、電話1-408-437-7591）までお気軽にご連絡いただくか、またはウェブサイト（www.integratedmaterials.com）でご覧ください。&lt;/p&gt;</description>
      <pubDate>Sat, 24 Jun 2006 06:47:53 +1000</pubDate>
    </item>
    <item>
      <title>Integrated Materialsがアジアの製造拠点とサポート・センター用の土地を物色</title>
      <link>http://www.sifusion.com/news/press_releases/4</link>
      <description>&lt;p&gt;&lt;i&gt;新しい拠点では、SiFusionファーネスウェアの製造能力を拡大し、半導体ファブの顧客に対し関連のテクニカル・サポート、営業活動を展開予定&lt;/i&gt;&lt;/p&gt;

&lt;p&gt;カリフォルニア州サニーベール、2006年4月11日 – Integrated Materialsは、ポリシリコン製ファーネスウェア、SiFusionの世界市場に対する供給を開始し、アジアでそのための生産拠点およびサポート・センターの開設を計画しています。現在検討されている場所は、台湾、韓国、日本、およびシンガポールで、いずれもSiFusionの備品に対する需要が急速に伸びている地域です。このアジアでの拠点作りは、Integrated Materialsがアジアの半導体メーカーに対して整合性のあるサービスを提供しようとする、サービス強化策の一環です。  &lt;/p&gt;

&lt;p&gt;Integrated Materialsが特許を取得しているSiFusionテクノロジを使用すると、ファーネスでの熱処理工程用の高純度ポリシリコン冶具の製造が可能となります。また、米国のある半導体ファブは、すでにこのテクノロジを記録ツールとして使用しています。また、すでに多くの大手半導体メーカー、特に環太平洋地域のメーカーがこのテクノロジの採用を検討中です。&lt;/p&gt;

&lt;p&gt;Integrated Materialsは、アジア太平洋地域に新しい拠点を持つことにより、その多くの顧客との距離が縮まり、同地域に密集している垂直統合型のデバイス・メーカー（IDM）およびファウンドリに密度の濃いサービスを継続的に提供することが可能となります。現在は、各市場のセールスレップ（販売代理店）が、同社に代わって顧客サポートを提供しています。&lt;/p&gt;

&lt;p&gt;さらに、Integrated Materialsは新しい拠点を通じて、現地のクリーンルームでの作業、クリーンな素材の取り扱い、および安全に関する注意などについての訓練を受け、経験を積んだ優秀な技術者を確保することができます。&lt;/p&gt;

&lt;p&gt;同社の社長兼CEO、トム・カドウェル氏は、次のように語っています。「当社がアジアに拠点を持つことにより、ファブ企業は300 mmウェハの生産へのシフトや歩留まりの向上など、予想される多くの困難を克服する上で当社の支援を得られるという確信を持つことができます。ますます多くの半導体ファブがSiFusionファーネスウェアを採用しており、Integrated Materialsは拡大する市場のデマンドに対応する準備を整えています。」&lt;/p&gt;

&lt;p&gt;Integrated Materialsは、2006年の第2四半期には場所の選定作業を終える予定です。そこで、Integrated Materialsは、グローバルな市場にきめ細かく対処するための製造設備の建設を開始する計画です。 &lt;/p&gt;

&lt;p&gt;Integrated Materialsの現在の米国の施設には、クラス100のクリーンルーム、訓練を受けたエンジニアリング部門と製造部門のスタッフ、およびSiFusionのポリシリコン製品のすべてにひつような洗浄、ボンディング、および組み立て装置と精密機器が備わっています。&lt;/p&gt;

&lt;p&gt;Integrated Materialsは、SiFusionファーネスウェアを提供することにより、半導体製造ファーネス用の高純度のポリシリコン溶融構造を完全に製造できる最初の企業となりました。ポリシリコン製の冶具は、石英やSiC（シリコンカーバイド）製のものに比べて、パーティクルや微量金属による汚染が少なく、ウェハのすべり破壊を防止でき、定期的な洗浄が不要になります。SiFusionのボート、ペデスタル、タワー、およびインジェクタなどの部材は、200 mmと300 mmの処理において主要装置メーカーの縦型ファーネスに適合するように設計されています。  &lt;/p&gt;

&lt;p&gt;Integrated Materialsについて
Integrated Materialsは、カリフォルニア州サニーベールに本社を置き、特許を取得したSiFusion™テクノロジにより、半導体業界で長年求められてきたポリシリコン・ファーネス冶具ソリューションを完成させました。Integrated Materials独特のSiFusionポリシリコン・ファーネスウェアは、従来の石英やシリコンカーバイドの製品と比べて、LPCVDのパーティクルや微量金属による汚染の低減、高温度処理中のすべり破壊の防止により歩留まりが向上するという特長があります。SiFusionファーネスウェアは、生産性を向上させ、また、定期的な洗浄が不要なのでコスト削減に役立ちます。SiFusion製品は、すでに200 mmと300 mmを製造する大手ファブで適合性が認められ、出荷が始まっています。Integrated Materialsの製品は、世界中でアプリケーション・エンジニアのチームと本国のサポート・エンジニアが協力してサポートしています。Integrated Materialsに対しては、郵便で1169 Borregas Avenue, Sunnyvale, CA 94089, （電話： 1-408-437-7591）宛に、またはWebサイトのwww.integratedmaterials.comからご連絡ください。.&lt;/p&gt;</description>
      <pubDate>Fri, 23 Jun 2006 04:07:24 +1000</pubDate>
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