LPCVDプロセス
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窒化シリコンおよびポリシリコンを含め、減圧化学気相成長(LPCVD)プロセスは、ガスの高い拡散性を用いて均一な厚みの薄膜を形成するウェハ製造中の重要な工程です。

ポリシリコンを原料としたSiFusion製品は、LPCVD プロセスで重要な問題となる治具から発生するパーティクルを低減します。熱処理炉内の治具表面に堆積する膜の厚みが増すに従って、膜と石英またはシリコンカーバイド製治具の間の熱ストレスが膜の破砕を引き起こし、フレーク状の剥離が発生します。このパーティクル発生は歩留りに大きな影響を与えます。

LPCVDプロセスに使用されるSiFusion 製品はコストのかかる定期洗浄を行わずに、またそれに関連した有害廃棄物を出すことなく、パーティクルの発生を低く抑えることができます。

LPCVDプロセスにおけるSiFusion製品の特長

  • キラーパーティクルが低減する。
  • 突発パーティクルが発生しない。
  • インジェクターが破損しない。
  • 剥がれやフレーク状剥離がない。
  • 歪みや変形がない。
  • 定期洗浄が必要ない。

SiFusionトータルソリューション：